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IRFR9020TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9020TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9020TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9020TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR9020TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9020TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：490pF @ 25V; 功率_最大：42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

KPT02E16-26SEX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS W/SKT BOX
LM3S5R36-IQR80-C0
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 256KB 64-LQFP
IRFR9020TR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
ISP1110VH-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 ST-Ericsson Inc 16-WFDFN 裸露焊盤 IC USB TXRX W/UART 16HBCC
IRFH5406TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
IR2011STR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
KB16CKW01-6G-JB
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
K473Z10Y5VF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.047UF 50V Y5V RADIAL
KPT02E16-26SF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS W/SKT BOX
IR20153SPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8-SOI
KB16KKW01
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
KPT02E16-26SZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS W/SKT BOX
K473Z15Y5VF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.047UF 50V Y5V RADIAL
LM3S5T36-IQR80-C1
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 32KB 64LQFP
ECO-S2GA271DA
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 400V 20% SNAP

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