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IRFR12N25D詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR12N25DCPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR12N25DCTRLP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR12N25DCTRRP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR12N25DPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR12N25DTRLP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：260 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 25V; 功率_最大：144W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IMC1210ER150K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 15UH 10% 1210
IL-312-A70SB-VFH05-A1
板對(duì)板 - 陣列，邊緣類型，包廂 JAE Electronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） CONN RCPT 70POS 0.5MM SMD
IRFR12N25D
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
KPT00F14-12S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS W/SKT WALL
KPSE07E10-6PF0
圓形 - 外殼 ITT Cannon 6 PIN CONTACT CONNECTOR
IXTY08N100P
FET - 單 IXYS TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
ECQ-E2153KF3
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.015UF 250VDC RADIAL
IMC1210ER1R0J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 5% 1210
JW030F-M
DC DC Converters GE 9-DIP 模塊 CONVERT DC/DC 3.3V 21.5W OUT
KPT00F14-12SX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS W/SKT WALL
IXTY1N80
FET - 單 IXYS TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
KPSE07E12-10PX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT W/PINS
ECQ-E2154JF9
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL
JW050A
DC DC Converters GE 9-DIP 模塊 CONVERTER DC/DC 5V 50W OUT
IMC1210ER1R2J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1210

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