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IRF830A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF830AL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF830ALPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF830APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF830AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF830ASPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF7379QTRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IHSM5832PJ681L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 680UH 0.43A SMD
IRF830AS
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
FNY-NS115
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16-DIP 模塊 W-SERIES & MLII INTERFACE UNIT
CRCW25121R24FKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.24 OHM 1W 1% 2512 SMD
EXB-D10C274J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 270K OHM 8 RES 1206
IRKT105/12A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL HISCR 1200V 105A ADDAPAK
IRKT26/14A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL HISCR 1400V 27A ADDAPAK
IHSM5832RF2R7L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 2.7UH 8.4A SMD
FNY-NS115
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16-DIP 模塊 W-SERIES & MLII INTERFACE UNIT
CRCW25121R30JNEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.3 OHM 1.5W 5% 2512 SMD
EXB-D10C331J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 330 OHM 8 RES 1206
IRKT27/08A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL HISCR 800V 25A ADDAPAK
IRF740
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
IHSM5832RF470L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 47UH 1.77A SMD