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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF7379QTRPBF 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IRF7379QTRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：N 和 P 溝道
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.8A，4.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.8A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：剪切帶 (CT)

IRF7379QTRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：N 和 P 溝道
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.8A，4.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.8A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：Digi-Reel®

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