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IRF7901D1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7901D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7901D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7901D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7901D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

HCC36DRYI-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 72POS .100 EXTEND
ISL60002CIH325Z-T7A
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SERIES PREC 2.5V SOT23-3
HI9P0509-5Z
接口 - 模擬開(kāi)關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16SOIC
HKQ0603S2N2C-T
固定式 Taiyo Yuden 0201（0603 公制） INDUCTOR HI FREQ 2.2NH 0201
IRF7901D1
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
HF659/16
扁平帶 3M 2520（6450 公制） CABLE 16COND RND SHIELD GRY 275’
ISL23315WFUZ-TK
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC DGTL POT 256POS 10K 10MSOP
ISL60002CIH326Z-TK
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SERIES PREC 2.6V SOT23-3
HI9P0548-5Z
接口 - 模擬開(kāi)關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MULTIPLEXER 8X1 16SOIC
HE2AN-Q-DC24V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 24V
HCC36DRYI-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 72POS DIP .100 SLD
ISL23318TFRUZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 100K 1CH 10UTQFN
HF659/16SF
扁平帶 3M 2520（6450 公制） CABLE 16COND RND SHIELD GRY 100’
HI-CV CAP 1001
無(wú)源 - 電容器 TDK Corporation 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） KIT CAP CER 10UF AND LARGER
IRF7946TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX

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ISL23315WFUZ-TK

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HE2AN-Q-DC24V

HCC36DRYI-S734

ISL23318TFRUZ-T7A

HF659/16SF

HI-CV CAP 1001

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