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IRF7665S2TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：515pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等距 SB; 供應商設備封裝：DIRECTFET SB; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7665S2TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：515pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等距 SB; 供應商設備封裝：DIRECTFET SB; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7665S2TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：515pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等距 SB; 供應商設備封裝：DIRECTFET SB; 包裝：Digi-Reel®

IRF7665S2TR1PBF供應商

IRF7665S2TR1PBF 艾睿（深圳）半導體有限公司 15813737183
IRF7665S2TR1PBF 北京首天偉業科技有限公司 010-62104931、
IRF7665S2TR1PBF 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
IRF7665S2TR1PBF 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
IRF7665S2TR1PBF 深圳市芯澤盛世科技有限公司 0755-89697985
IRF7665S2TR1PBF 標準國際（香港）有限公司 755-83206150/
IRF7665S2TR1PBF 江蘇芯鉆時代電子科技有限公司 18913062888
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IRF7665S2TR1PBF 深圳市科雨電子有限公司 13352995145（微
IRF7665S2TR1PBF 上海金慶電子科技京城市場部 021-51872165/
IRF7665S2TR1PBF 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
IRF7665S2TR1PBF 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
IRF7665S2TR1PBF 深圳市徠派德電子有限公司 0755-33211351

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IRF7665S2TR1PBF
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IRF7665S2TR1PBF 全國供應商、價格、PDF資料

IRF7665S2TR1PBF詳細規格

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