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IRF6616TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6616TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6616TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：Digi-Reel®

IRF6616TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6616TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3765pF @ 20V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

DTS26W13-8PN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/PINS
DTS24F23-35SD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 100POS SKT
IRF6616TR1
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
DS21349Q+T&R
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 28-LCC（J 形引線） IC LIU T1/J1 3.3V 28-PLCC
INA128UA/2K5E4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
DTS20W23-53BD
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
GTC02R-22-22P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/PINS
DTS26W13-8PN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS PIN
GSM08DSEF-S243
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET
DS21352LB
接口 - 電信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX 1-CHIP T1 3.3V 100-LQFP
INA128UAG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
GTC02R-22-22SY
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
DTS20W23-53BE
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
GSM08DSEI-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
DTS26W13-8SA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT