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IRF5803D2詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF5803D2PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF5803D2TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5803D2TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF5803D2TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF5803D2TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：（0pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

LMV823AIST
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP GP LP RR DUAL 10MSOP
K180K15C0GF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
IRF5802TR
FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
ECQ-E6473JF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
KTR10EZPF9103
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 910K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
ISL6612BECB
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
IXFT52N50P2
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 52A TO268
K183K15X7RK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 200V 10% RADIAL
K180K15C0GF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
ISL6612BIB
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
KTR10EZPJ100
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
IXFT58N20Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
K183M10X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
K180K15C0GF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
IRF5806TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP