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IRF5802TR詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：900mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 540mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：88pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF5802TR詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：900mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 540mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：88pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：Digi-Reel®

IRF5802TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：900mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 540mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：88pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5802TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：900mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 540mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：88pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF5802TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：900mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 540mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：88pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：Digi-Reel®

IRFR4104TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
HLMP-CE31-SVC00
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 505NM CYAN 30DEG
IRF5801TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
HFBR-4533
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK CONN CRIMPLESS BLUE
IXFX180N07
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247
FVXO-PC52B-622.08
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） OSC 622.08 MHZ 2.5V PECL SMD
CY7C1412AV18-200BZI
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165TFBGA
IRFR4104TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
GRM1556S1H6R7DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 6.7PF 50V S2H 0402
HFBR-4533
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK CONN CRIMPLESS BLUE
IXFX180N10
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
FVXO-PC53B-155
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） OSC 155 MHZ 3.3V PECL SMD
CY7C1412BV18-250BZXC
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165TFBGA
IRFR4104TRR
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
GRM1556S1H6R8DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 6.8PF 50V S2H 0402

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