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IPI120N06S4-H1詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 100A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：21900pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安裝類(lèi)型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO262-3; 包裝：管件

IPI120N06S4-H1供應(yīng)商

IRF5851TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
IRF7555TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
FGA30N60LSDTU
IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT 600V 60A TO-3PN
H2MXH-2006M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20H/AE20M/X
IPI120N04S4-02
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
GP10YEHE3/73
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL，DO-41，軸向 DIODE 1A 1600V STD SMC
H2MXH-2018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20H/AE20M/X
IRF6100PBF
FET - 單 International Rectifier 4-FlipFet? MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
FGA50N60LS
IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT 600V 50A TO-3P
H2MXH-2418M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM24H/AE24M/X
GP10YHE3/54
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL，DO-41，軸向 DIODE 1A 1600V STD SMC
IRF610STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
H2MXH-2436G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM24H/AE24G/X
FGA60N65SMD
IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT 650V 120A TO-3P
IPI126N10N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

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