GP10YHE3/54 全國供應商、價格、PDF資料
GP10YHE3/54詳細規格
- 類別:單二極管/整流器
- 描述:DIODE 1A 1600V STD SMC
- 系列:SUPERECTIFIER®
- 制造商:Vishay General Semiconductor
- 二極管類型:標準
- 電壓_333Vr444(最大):1600V(1.6kV)
- 電流_平均整流333Io444:1A
- 電壓_在If時為正向333Vf444(最大):1.3V @ 1A
- 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢復時間333trr444:3µs
- 電流_在Vr時反向漏電:5µA @ 1600V
- 電容0a0VrwwwwF:5pF @ 4V,1MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向
- 供應商設備封裝:DO-204AL(DO-41)
- 包裝:帶卷 (TR)
- IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 600V 60A TO-3PN
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20H/AE20M/X
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL,DO-41,軸向 DIODE 1A 1600V STD SMC
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM20H/AE20M/X
- FET - 單 International Rectifier 4-FlipFet? MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
- IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 600V 50A TO-3P
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM24H/AE24G/X
- IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 650V 120A TO-3P
- FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30H/AE30G/X
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL,DO-41,軸向 DIODE 1A 1600V STD SMC