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DMN2112SN-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 500mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59-3; 包裝：帶卷 (TR)

DMN2112SN-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 500mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59-3; 包裝：剪切帶 (CT)

DMN2112SN-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 500mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59-3; 包裝：Digi-Reel®

DMN2075UDW-7
FET - 單 Diodes Inc 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
FDB2532
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
DL68G14-12PN-6106
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 12POS STRGHT W/PINS
ERJ-12ZYJ685U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 2010（5025 公制） RES 6.8M OHM 3/4W 5% 2010 SMD
CAY16-151J4LF
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Bourns Inc. 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 150 OHM 4 RES 1206
DMN2112SN-7
FET - 單 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
FDB28N30TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
DL68G14-12S6-6106
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 12POS STRGHT W/SKT
ERJ-12ZYJ750U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 2010（5025 公制） RES 75 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
FDB3652
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
DL68G14-12S6-6106-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 12POS SKT
ERJ-12ZYJ753U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 2010（5025 公制） RES 75K OHM 3/4W 5% 2010 SMD
CAY16-1600F4LF
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Bourns Inc. 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 160 OHM 4 RES 1206
DMN2215UDM-7
FET - 陣列 Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26
FDB3672_F085
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

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DMN2112SN-7 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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FDB2532

DL68G14-12PN-6106

ERJ-12ZYJ685U

CAY16-151J4LF

DMN2112SN-7

FDB28N30TM

DL68G14-12S6-6106

ERJ-12ZYJ750U

FDB3652

DL68G14-12S6-6106-LC

ERJ-12ZYJ753U

CAY16-1600F4LF

DMN2215UDM-7

FDB3672_F085

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