欧美成人一区二免费视频-欧美久久中文字幕-欧美日韩国产免费一区二区三区-欧美性群另类交

<pre id="tpwv9"><fieldset id="tpwv9"></fieldset></pre>^{<blockquote id="tpwv9"></blockquote>}

51電子網(wǎng)聯(lián)系電話：13751165337

當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引1 » 型號(hào)"BSC0904NSI"的供應(yīng)信息

BSC0904NSI 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSC0904NSI詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：78A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 15V; 功率_最大：37W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC0904NSI詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：78A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 15V; 功率_最大：37W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：Digi-Reel®

BSC0904NSI詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：78A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 15V; 功率_最大：37W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：帶卷 (TR)

查看更多BSC0904NSI的供應(yīng)商

B43504E2227M82
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 220UF 200V
B37981F5473K051
陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 0.047UF 50V 10% RADIAL
B37931K1221K060
陶瓷 EPCOS Inc 0603（1608 公制） CAP CER 220PF 100V 10% X7R 0603
B82422A3151K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR .15UH 390MA 1210 10%
C320C102K5R5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 1000PF 50V 10% RADIAL
BSC0904NSI
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
B43504E2228M60
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V
BFC241873904
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.39UF 250VDC RADIAL
B82422A3181K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR .18UH 360MA 1210 10%
B37931K1471K060
陶瓷 EPCOS Inc 0603（1608 公制） CAP CER 470PF 100V 10% X7R 0603
BFC241875104
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.51UF 250VDC RADIAL
B43504E2228M7
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 2200UF 200V
B82422A3220J108
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 0.022UH 5%
BSC100N06LS3 G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
B37931K9104K060
陶瓷 EPCOS Inc 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 16V 10% X7R 0603

復(fù)制成功！