B32676T3905K 全國供應商、價格、PDF資料
B32676T3905K詳細規格
- 類別：薄膜
- 描述：FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
- 系列：B32676
- 制造商：EPCOS Inc
- 電容：9.0µF
- 電壓_額定：
- 容差：±10%
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：徑向
- 工作溫度：-40°C ~ 105°C
- 特點：交流和雙倍脈沖
- 包裝：散裝
- 尺寸/尺寸：1.634" L x 0.945" W（41.50mm x 24.00mm）
- 高度_座高（最大）：0.748"（19.00mm）
B32676T3905K詳細規格
- 類別：薄膜
- 描述：FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
- 系列：B32676
- 制造商：EPCOS Inc
- 電容：9.0µF
- 額定電壓_AC：-
- 額定電壓_DC：300V
- 電介質材料：聚丙烯，金屬化
- 容差：±10%
- ESR（等效串聯電阻）：-
- 工作溫度：-40°C ~ 105°C
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：徑向
- 尺寸/尺寸：1.634" L x 0.945" W（41.50mm x 24.00mm）
- 高度_座高（最大）：0.748"（19.00mm）
- 端子：PC 引腳
- 引線間隔：1.476"（37.50mm）
- 特點：交流和雙倍脈沖
- 應用：-
- 包裝：散裝
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.082UF 10V 20% X7R 0402
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 0402（1005 公制） COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
- I/O 繼電器模塊 - 輸出 Grayhill Inc 0402（1005 公制） OUTPUT MODULE G5 26MA 5VDC
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 0.1UF 4V 20% X5R 01005
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANS SS PNP 300V 50MA SOT-223
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 0603（1608 公制） COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
- I/O 繼電器模塊 - 輸出 Grayhill Inc 徑向 OUTPUT MODULE DC G5 9MA 24VDC
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANS BASESTATION 2-LDMOST
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 0.1UF 4V 20% X5R 01005
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 250V 50MA SOT223
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 25V 5% NP0 0402
0755-83223003 
