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ZVN4310A詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：900mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

ZVN4310ASTOA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：900mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

ZVN4310ASTOB詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：900mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

ZVN4310ASTZ詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：900mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：850mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

ZVN4310GTA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.67A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

ZVN4310GTA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.67A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

X9313UMZT1
數據采集 - 數字電位器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC XDCP 32-TAP 50K 3-WIRE 8-MSOP
YC164-JR-07180RL
網絡、陣列 Yageo 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 180 OHM 4 RES 1206
VI-B1P-CW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
ZVN4306AV
FET - 單 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 標準主體 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
XCV1600E-7FG900C
嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） Xilinx Inc 900-BBGA IC FPGA 1.8V C-TEMP 900-FBGA
TR3B157M004C0900
鉭 Vishay Sprague 1411（3528 公制） CAP TANT 150UF 4V 20% 1411
VI-JWK-EY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
VI-B1J-IV
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 36V 150W
X9313UST2
數據采集 - 數字電位器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC XDCP 32-TAP 50K 3-WIRE 8-SOIC
VI-B1P-CX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W
XCV1600E-8BG560C
嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） Xilinx Inc 560-LBGA，金屬 IC FPGA 1.8V C-TEMP 560-MBGA
VI-B1J-IV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 150W
TR3B225M035C2000
鉭 Vishay Sprague 1411（3528 公制） CAP TANT 2.2UF 35V 20% 1411
VI-JWK-EZ-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 25W
X9313WM-3T2
數據采集 - 數字電位器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC XDCP 32-TAP 10K 3-WIRE 8-MSOP

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ZVN4310 全國供應商、價格、PDF資料

ZVN4310A詳細規格

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ZVN4310供應商

X9313UMZT1

YC164-JR-07180RL

VI-B1P-CW-F1

ZVN4306AV

XCV1600E-7FG900C

TR3B157M004C0900

VI-JWK-EY-F4

VI-B1J-IV

X9313UST2

VI-B1P-CX-F1

XCV1600E-8BG560C

VI-B1J-IV-S

TR3B225M035C2000

VI-JWK-EZ-F1

X9313WM-3T2