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NTMS5P02R2G 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NTMS5P02R2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.95A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5.4A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 16V
功率_最大：790mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)

NTMS5P02R2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.95A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5.4A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 16V
功率_最大：790mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)

NTMS5P02R2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.95A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 5.4A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 16V
功率_最大：790mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N
包裝：Digi-Reel®

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