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NTMS10P02R2詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

NTMS10P02R2詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

NTMS10P02R2G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

NTMS10P02R2G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

NTMS10P02R2G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 10A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3640pF @ 16V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

OPB903W55Z
光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 TT Electronics/Optek Technology 模塊，預(yù)接線 SWITCH SLOTTED OPTICAL WIDE GAP
P6KE30
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-204AC，DO-15，軸向 DIODE TVS 30V 600W UNI DO-15 10%
IMC1210BN1R8J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.8UH 5% 1210
NTMS10P02R2G
FET - 單 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
IDT71V35761S200BQGI
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA
MMSZ4696T1
單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD-123
MNR14E0ABJ102
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206
OPB917B
光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 TT Electronics/Optek Technology 模塊，預(yù)接線 SENSOR SWITCH LOGIC SLOTTED OPT
IMC1210BN390K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 39UH 10% 1210
MMSZ4697T1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123
IDT71V35761SA183BQI
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 183MHZ 165FBGA
MNR14E0ABJ102
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206
OPB917I
光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 TT Electronics/Optek Technology 模塊，預(yù)接線 SWITCH SLOTTED OPTICAL WIRE LDS
P6KE300CAE3/TR13
TVS - 二極管 Microsemi Commercial Components Group T-18，軸向 TRANS VOLT SUPP 300V 600W BIDIR
ORNTV25025001T3
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC