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NTF3055L175T1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

NTF3055L175T1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

NTF3055L175T1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

NTF3055L175T1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

NTF3055L175T3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

NTF3055L175T3G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2A SOT223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 1A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

NTF3055-100T3LF
FET - 單 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
SM30T21CAY
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AB，SMC TRANSIL 3000W 21V BIDIRECT SMC
THS4120IDR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP DIFF 100MHZ SGL 8SOIC
TNPW1206470KBETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 470K OHM 1/4W 0.1% 1206
SLCT-IG
配件 Panduit Corp CABLE TAG S LAM GRY 3X1.31" 25PK
NTF3055L175T1G
FET - 單 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
TNPW12101K15BEEN
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 1.15K OHM 1/3W 0.1% 1210
TNPW120647R0BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 47.0 OHM 1/4W 0.1% 1206
THS4121CDGK
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP DIFF 100MHZ SGL 8MSOP
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芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 1.21K OHM 1/3W 0.1% 1210
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芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 48.7 OHM 1/4W 0.1% 1206
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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP DIFF 100MHZ SGL 8MSOP
SLCT-OR
配件 Panduit Corp CABLE TAG S LAM ORN 3X1.31" 25PK
NTF5P03T3G
FET - 單 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
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芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 1.24K OHM 1/3W 0.1% 1210

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NTF3055-100T3LF

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