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NTD95N02R詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 24V 12A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：24V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

NTD95N02R-001詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 24V 12A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：24V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD95N02R-1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 24V 12A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：24V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD95N02RG詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 24V 12A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：24V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

NTD95N02RT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 24V 12A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：24V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

NTD95N02RT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 24V 12A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：24V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

NCP1117DT25T5G
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 2.5V 1A DPAK
NTD78N03-035
FET - 單 ON Semiconductor TO-251-3 短截引線，IPak MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
MMA02040C8201FB300
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag MELF，0204 RES 8.20K OHM .4W 1% 0204 MELF
NX8045GB-16.934400MHZ
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.934400 MHZ 8PF SMD
P51-200-A-H-P-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI M12-1.5 6G 4.5V
MIN02-002C050D-F
Mica 和 PTFE Cornell Dubilier Electronics (CDE) 非標(biāo)準(zhǔn)型 SMD CAP MICA 5PF 300V SMD
NPPN061BFLC-RC
矩形- 接頭，插座，母插口 Sullins Connector Solutions 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN RECEPT 2MM SINGLE SMD 6POS
NCP1117DT285RK
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 2.85V 1A DPAK-3
NSH5-ATT02
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-2 全封裝，隔離接片 BRACKET WALL MOUNTING NSH5
MIN02-002C2R2D-F
Mica 和 PTFE Cornell Dubilier Electronics (CDE) 非標(biāo)準(zhǔn)型 SMD CAP MICA 2.2PF 300V SMD
P51-200-A-I-D-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 7/16-20UNF .5-4.5V
NX8045GB-18.432000MHZ
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 18.432000 MHZ 8PF SMD
NPPN062FJFN-RC
矩形- 接頭，插座，母插口 Sullins Connector Solutions 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN RECEPT 2MM DUAL R/A 12POS
NSH5-ATT02
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-2 全封裝，隔離接片 BRACKET WALL MOUNTING NSH5
MLG0603Q5N6S
固定式 TDK Corporation 0201（0603 公制） INDUCTOR MULTILAYER 5.6NH 0201