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NTD60N02R詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

NTD60N02R-035詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD60N02R-1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD60N02R-35G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD60N02RG詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

NTD60N02RT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 20V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

LC005A
DC DC Converters GE 5-DIP 模塊 CONVERTER DC/DC 5V 5W OUT
PR02000209103JR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 910K OHM METAL FILM 2W 5%
PIC18LF8410T-I/PT
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 80-TQFP IC PIC MCU FLASH 8KX16 80TQFP
NTD5862NT4G
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
PIC18LF2523T-I/SO
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC PIC MCU FLASH 16KX16 28SOIC
PMR4RDW11.5-CC
面板指示器，指示燈 Bivar Inc 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） LED RECT RED PNL MNT W/ CONN
LC015C91
DC DC Converters GE 6-DIP 模塊 CONVERTER DC/DC 15V 15W OUT
PIC16LC620AT-04I/SO
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 18-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC MCU OTP 512X14 COMP 18SOIC
PIC18LF8520-I/PT
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 80-TQFP IC MCU FLASH 16KX16 EEPROM80TQFP
PIC18LF252T-I/SOG
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC MCU FLASH 16KX16 28SOIC
PR03000201002JAC00
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 10K OHM METAL FILM 3W 5%
PMR4RDW2.0
面板指示器，指示燈 Bivar Inc 軸向 LED RECT RED PANEL MNT
LC-1.0
光學(xué) - LED - 燈管 Bivar Inc 軸向 LIGHT PIPE 4MM RND LENS 1.0"
PIC16LC621A-04/SS
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC MCU OTP 1KX14 COMP 20SSOP
PIC18LF8680-I/PT
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 80-TQFP IC PIC MCU FLASH 32KX16 80TQFP