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NTD4809N-1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4809N-35G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4809NA-1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：2W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4809NA-35G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：2W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4809NAT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1456pF @ 12V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

NTD4809NH-1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2155pF @ 12V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NCP1053ST136T3
PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關(guān) ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4
NPH25S2405IC
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 25W 24VIN 5.1VOUT DIP
NX5032GB-12MHZ-STD-CSK-5
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 12.000 MHZ 8 PF SMD
NE25139-T1
RF FET CEL TO-253-4，TO-253AA FET 900 MHZ SOT-143
NTD4808NT4G
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK
MICRF600Z TR
RF 收發(fā)器 Micrel Inc 模塊 TXRX ISM 902-928MHZ 11.5X14.1MM
P51-200-A-AF-P-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 9/16-18 UNF 4-20MA
NSD4
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann Cylindrical，Blade Terminal（Alternating） FUSE 4A 550V BS88 IEC HRC BLADE
NCP1053ST44T3G
PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關(guān) ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4
NX5032GB-16MHZ-STD-CSK-5
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
MICRF620Z
RF 收發(fā)器 Micrel Inc 模塊 IC RF MOD 430-440MHZ 16-MOD1114Q
P51-200-A-A-I36-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
NPH25S4805EIC
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 25W 48VIN 5.1VOUT DIP
NSD914F3T5G
單二極管/整流器 ON Semiconductor SOT-1123 IC DIODE SW HS 100V SOT-1123
NCP1054P100G
PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關(guān) ON Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引線 IC CONV PWM UVLO HV 8PDIP

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