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NTD32N06詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 32A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1725pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD32N06-001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 32A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1725pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD32N06-1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 32A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1725pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD32N06G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 32A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1725pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD32N06L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 32A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 16A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD32N06L-001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 32A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 16A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NLVHC02ADR2G
邏輯 - 柵極和逆變器 ON Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC GATE NOR QUAD 2INPUT 14-SOIC
NTD3055L170-1G
FET - 單 ON Semiconductor TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
MI1812K121R-10
鐵氧體磁珠和芯片 Laird-Signal Integrity Products 1812（4532 公制） FERRITE 1.5A 120 OHM 1812 SMD
HMC44DRTN-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 16-VFQFN 裸露焊盤 CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
NJM2240M#
線性 - 視頻處理 NJR 8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC VIDEO SIGNAL QUADRUPLER 8-DMP
NJM2513M#
線性 - 視頻處理 NJR 16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC VIDEO SW 3IN/2IN/1OUT 16-DMP
HPQ-12/25-D48NH-C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 8-DIP SMD 模塊，1/4 磚 CONV DC/DC 300W 12V 25A NEG LOG
NLVHC138ADR2G
邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DECODER/DEMUX 1-8 16-SOIC
HMC44DRXS-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 16-VFQFN 裸露焊盤 CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
NJM2249M#
線性 - 視頻處理 NJR 8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC VIDEO SWITCH 3-IN/1-OUT 8-DMP
NJM2521D#
線性 - 音頻處理 NJR 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC AUDIO SWITCH 3-IN/1-OUT 8-DIP
HPQ-12/25-D48NX-C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 8-DIP SMD 模塊，1/4 磚 CONV DC/DC 300W 12V 25A NEG LOG
NLVHC1G02DFT2G
邏輯 - 柵極和逆變器 ON Semiconductor 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC GATE NOR SGL 2INP SOT-353
HMC44DRYH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 16-VFQFN 裸露焊盤 CONN EDGECARD 88POS .100 EXTEND
NTD3808N-35G
FET - 單 ON Semiconductor TO-251-3 短截引線，IPak MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

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NTD32N06 全國供應商、價格、PDF資料

NTD32N06詳細規格

NTD32N06-001詳細規格

NTD32N06-1G詳細規格

NTD32N06G詳細規格

NTD32N06L詳細規格

NTD32N06L-001詳細規格

NTD32N06供應商

NLVHC02ADR2G

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HMC44DRTN-S734

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NLVHC1G02DFT2G

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NTD3808N-35G