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NTB5605P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 8.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB5605PG詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 8.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB5605PT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 8.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

NTB5605PT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 8.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

NTB5605PT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 8.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

NTB5605PT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 8.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

P51-75-G-U-M12-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 75PSI 7/16-20-2B .5-4.5V
NTB45N06T4G
FET - 單 ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
IC-5-DATABOOK
配件 Toko America Inc IC DATABOOK
OD4010-24MB02A
風(fēng)扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 40X10MM 24V 6CFM ALARM
P51-50-G-F-D-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 50PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
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邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SYNCFIFO 1024X18X2 128-TQFP
IDT7026S55JI
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 84-LCC（J 形引線） IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC
OD5WM-6
RF 天線 Laird Technologies IAS 軸向 ANT OMNIDIR MESH 6DBI
P51-75-G-U-P-5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 75PSI 7/16-20-2B 1-5V
OD4010-24MS01A
風(fēng)扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 40X10MM 24V TACH
P51-50-G-F-D-5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 50PSI 1/4-18NPT 1-5V
IDT7026S55JI8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 84-LCC（J 形引線） IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC
IDT72V82L15PA8
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC FIFO ASYNCH 1KX9 56TSSOP
OD6010-12LS01A
風(fēng)扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 60X10MM 12V 14CFM TACH
P51-75-G-W-I12-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 75PSI 1/8-27NPT .5-4.5V

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