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NSTB1002DXV5T1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 NPN 預偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，200mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V，40V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 100 @ 1mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA / 400mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-553; 供應商設備封裝：SOT-553; 包裝：帶卷 (TR)

NSTB1002DXV5T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 NPN 預偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，200mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V，40V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V / 100 @ 1mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA / 400mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-553; 供應商設備封裝：SOT-553; 包裝：帶卷 (TR)

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N-4000DRLL4X2
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NC3030 4
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MMBT3904-G
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MM74HC00MTCX
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FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CHAN 30V TO220AB
NTCS0402E3103FLT
熱敏電阻 - NTC Vishay BC Components 0402（1005 公制） THERMISTOR NTC 10K 1% 0402
N-400-2 BK
卡導軌 Bivar Inc CARD GUIDE NAR 4X0.078" BLK
NC3030 4
配件 APM Hexseal 圓柱形罐，徑向 BOOT PUSHBUTTON 15/32-32NS CLEAR
MM74HC00MX
邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC GATE NAND QUAD 2-INP 14-SOIC
MMBT3904LP-7B
晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc 3-UFDFN TRANS NPN 40V 200MA DFN1006-3
NTP75N03L09G
FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
NTCS0402E3104GHT
熱敏電阻 - NTC Vishay BC Components 0402（1005 公制） THERMISTOR NTC 100K OHM SMD 0402