NSTB1002DXV5T 全國供應商、價格、PDF資料
NSTB1002DXV5T1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA,200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V,40V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-553
- 供應商設備封裝:SOT-553
- 包裝:帶卷 (TR)
NSTB1002DXV5T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA,200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V,40V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:250MHz
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-553
- 供應商設備封裝:SOT-553
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
- 晶體管(BJT) - 陣列 ON Semiconductor SOT-963 TRANSISTOR DUAL COMPL GP SOT-963
- 熱敏電阻 - NTC Murata Electronics North America 0402(1005 公制) THERMISTOR
- 電池組 Sanyo Energy BATT PACK 9.6V 4000MAH NICAD
- 配件 APM Hexseal 圓柱形罐,徑向 BOOT PUSHBUTTON 15/32-32NS CLEAR
- 晶體管(BJT) - 單路 Comchip Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-23
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC GATE NAND QUAD 2INP 14-TSSOP
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CHAN 30V TO220AB
- 熱敏電阻 - NTC Vishay BC Components 0402(1005 公制) THERMISTOR NTC 10K 1% 0402
- 卡導軌 Bivar Inc CARD GUIDE NAR 4X0.078" BLK
- 配件 APM Hexseal 圓柱形罐,徑向 BOOT PUSHBUTTON 15/32-32NS CLEAR
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC GATE NAND QUAD 2-INP 14-SOIC
- 晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc 3-UFDFN TRANS NPN 40V 200MA DFN1006-3
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
- 熱敏電阻 - NTC Vishay BC Components 0402(1005 公制) THERMISTOR NTC 100K OHM SMD 0402