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NST3906DXV6T1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 PNP（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：200mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V; 功率_最大：500mW; 頻率_轉換：250MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：帶卷 (TR)

NST3906DXV6T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 PNP（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：200mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V; 功率_最大：500mW; 頻率_轉換：250MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：剪切帶 (CT)

NST3906DXV6T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 PNP（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：200mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V; 功率_最大：500mW; 頻率_轉換：250MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：帶卷 (TR)

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