NSBC114EDXV6T 全國供應商、價格、PDF資料
NSBC114EDXV6T1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:剪切帶 (CT)
NSBC114EDXV6T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:Digi-Reel®
NSBC114EDXV6T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
NSBC114EDXV6T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:剪切帶 (CT)
NSBC114EDXV6T5G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
NSBC114EDXV6T5G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:剪切帶 (CT)
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模塊(600 mil,8 引線) CONV DC/DC 3W 12VIN 15VOUT DIP24
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 熱敏電阻 - NTC Murata Electronics North America 0201(0603 公制) THERMISTOR 100 OHM NTC 0201 SMD
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關 Micrel Inc 4-UFDFN,4-TMLF? IC LOAD SWITCH HI SIDE 2A 4-TMLF
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 2000PSIS 1/4 NPT 5V 12"
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 NXP Semiconductors 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC ANALOG SWITCH SPST UMT5
- 固定式 TDK Corporation 0805(2012 公制) INDUCTOR MULTILAYER 4.7UH 0805
- 熱敏電阻 - NTC Vishay BC Components 0805(2012 公制) THERMISTOR NTC 22K OHM SMD 0805
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模塊(600 mil,8 引線) CONV DC/DC 3W 24VIN 3.3V DIP24
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 2000PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
- PMIC - 電源分配開關 Micrel Inc 4-UDFN 裸露焊盤,4-TMLF? IC LOAD SW HGH SIDE 1.2A 4-TMLF
- 固定式 TDK Corporation 0805(2012 公制) INDUCTOR MULTILAYER 47UH 0805
- 晶體 NDK 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 15.36MHZ 10PF SMD
- 熱敏電阻 - NTC Vishay BC Components 0805(2012 公制) THERMISTOR NTC 22K OHM 0805 SMD
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 24-DIP 模塊(600 mil,8 引線) CONV DC/DC 3W 48VIN 12VOUT DIP24