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NP80N055KLE-E1-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：帶卷 (TR)

NP80N055MDG-S18-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6900pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220; 包裝：管件

NP80N055MHE-S18-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220-3; 包裝：管件

NP80N055MLE-S18-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4400pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220-3; 包裝：管件

NP80N055NDG-S18-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.9 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6900pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

NP80N055NHE-S18-AY詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

MIC2212-GPYML TR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盤，10-MLF? IC REG LDO 1.8V/3V 10-MLF
NOSC476M004R0300
氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
NSH5-ATT02
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-2 全封裝，隔離接片 BRACKET WALL MOUNTING NSH5
P122BA19.E3.86
其它 General Cable/Carol Brand 12 AWG 19/25 BC .011" SGPVC
MGDQ1-00021
固定式 TE Connectivity 非標準 INDUCTOR 270UH .22A 20% SMD 6530
NMPD0105C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 12-SIP 模塊 POWER OVER ETHERNET MODULE
HMM11DSEH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 22POS .156 EXTEND
MIC2212-GSYML TR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盤，10-MLF? IC REG LDO 1.8V/3.3V 10-MLF
NSH5-SQG10B-V2
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-2 全封裝，隔離接片 HANDHELD NS5 W/GREY E-STOP 60M
MGDQ2-00008
固定式 TE Connectivity 非標準 INDUCTOR 39UH .69A 20% SMD 6545
P122FPL1.38.03
其它 General Cable/Carol Brand 2C/12 SBC PVC/NS/FLEX FPLP
HMM12DREF
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS .156 EYELET
MIC2212-LOYML TR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盤，10-MLF? IC REG LDO 2.7V/2.9V 10-MLF
NMR101C
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模塊（4 引線） CONV DC/DC 1W 5VIN 12V SIP SGL
NSH5-SQG10B-V2
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-2 全封裝，隔離接片 HANDHELD NS5 W/GREY E-STOP 60M

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