NP32N055SHE 全國供應商、價格、PDF資料
NP32N055SHE-E1-AY詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：1.2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252（MP-3ZK）
- 包裝：帶卷 (TR)
- 氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 6.3V 2312
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- FET - 單 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
- 氧化鈮 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1206
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCTOR PWR SHIELD 2.4UH SMD
- RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盤 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD 8-TSLP
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- 氧化鈮 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1210
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1210
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCTOR PWR SHIELD 27UH SMD
- RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盤 IC LNA ULTRA LOW NOISE ACT BIAS
- 氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 4V 2917
0755-82563615 
0755-23919407 
