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IRLZ14詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRLZ14L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRLZ14PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRLZ14S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLZ14SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLZ14STRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRKH91/04A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR DBL LOSCR 400V 95A ADD-A-PAK
ISL9104IRUNEVAL1Z
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Intersil 6-UFDFN EVAL BOARD 1 FOR ISL9104IRUN
IRLZ14
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
HMC920LP5E
PMIC - 電源管理 - 專用 Hittite Microwave Corporation 32-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR ACTIVE BIAS 32QFN
HM2P07PKM2L5GF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT
ISL43144IRZ-T
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC SWITCH QUAD SPST 16QFN
HF659/16SF
扁平帶 3M 2520（6450 公制） CABLE 16COND RND SHIELD GRY 25’
HMC988LP3E
時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器 Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盤 IC CLK DIVIDER 16-QFN
ISL9105IRZ-T
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Intersil 8-VFDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 0.6A 8DFN
ISL43144IV
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
HF659/24SF
扁平帶 3M 2520（6450 公制） CABLE 24COND RND SHIELD GRY 25’
HMC992LP5E
RF 其它 IC 和模塊 Hittite Microwave Corporation 32-VFQFN 裸露焊盤 RF IF AGC 50MHZ - 800MHZ 32SMT
ISL9110IRTNZ-T7A
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Intersil 12-WFDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK BST SYNC 3.3V 12TDFN
HM2P07PKP190GFLF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT
IRLZ24NLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 18A TO-262

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IRLZ14 全國供應商、價格、PDF資料

IRLZ14詳細規格

IRLZ14L詳細規格

IRLZ14PBF詳細規格

IRLZ14S詳細規格

IRLZ14SPBF詳細規格

IRLZ14STRL詳細規格

IRLZ14供應商

IRKH91/04A

ISL9104IRUNEVAL1Z

IRLZ14

HMC920LP5E

HM2P07PKM2L5GF

ISL43144IRZ-T

HF659/16SF

HMC988LP3E

ISL9105IRZ-T

ISL43144IV

HF659/24SF

HMC992LP5E

ISL9110IRTNZ-T7A

HM2P07PKP190GFLF

IRLZ24NLPBF