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IRLR8503TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V; 功率_最大：62W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

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IRLR8503TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V; 功率_最大：62W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR8503TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V; 功率_最大：62W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRLR8503TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V; 功率_最大：62W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR8503TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V; 功率_最大：62W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

LQH43CN4R7M03L
固定式 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） INDUCTOR 4.7UH 20% 750MA 1812
ISL6420IAZ-TK
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 20-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 20-QSOP
IRLR8503TRL
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
LMX358IDT
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP R-R OUT DUAL 8-SOIC
LP56-100B15
功率 Pulse Electronics Corporation 徑向，Can - 卡入式 TRANSFORMER 6VA 56V 100MA
ISL28617FVZ-T7A
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC INSTRUMENTATION AMP 24TSSOP
EEC-RG0V224V
雙電層，超級(jí)電容器 Panasonic Electronic Components 軸向，CAN - 垂直式 CAP SUPER 0.22F 3.6V RADIAL
K221K10C0GF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 50V 10% RADIAL
LQH43MN100K03L
固定式 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） INDUCTOR
LMX358IST
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OP AMP R-R OUT DUAL 8-MSOP
ISL28617SM10EV1Z
評(píng)估板 - 運(yùn)算放大器 Intersil 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） BOARD EVAL FOR ISL28617
LP-56-200
功率 Signal Transformer 徑向，Can - 卡入式 XFRMR 115/230V 28V 400MA PCB
EEC-S0HD334H
雙電層，超級(jí)電容器 Panasonic Electronic Components 軸向，CAN - 水平式 CAP SUPER 0.33F 5.5V RADIAL
LQH43MN122J03L
固定式 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） INDUCTOR
K221K10C0GH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL

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IRLR8503TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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IRLR8503TR供應(yīng)商

LQH43CN4R7M03L

ISL6420IAZ-TK

IRLR8503TRL

LMX358IDT

LP56-100B15

ISL28617FVZ-T7A

EEC-RG0V224V

K221K10C0GF5TH5

LQH43MN100K03L

LMX358IST

ISL28617SM10EV1Z

LP-56-200

EEC-S0HD334H

LQH43MN122J03L

K221K10C0GH53H5