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        IC供應PDF資料非IC供應

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        當前位置:網站首頁 » 庫存索引814 » 型號"IRLR024N"的供應信息

        IRLR024N 全國供應商、價格、PDF資料

        型號:廠商:批號:封裝:
        按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

        IRLR024NPBF詳細規格

        類別:FET - 單
        描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
        系列:HEXFET®
        制造商:International Rectifier
        FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        FET特點:邏輯電平門
        漏極至源極電壓333Vdss444:55V
        電流_連續漏極333Id4440a025000C:17A
        開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 10A,10V
        Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
        閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
        輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 25V
        功率_最大:45W
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
        供應商設備封裝:D-Pak
        包裝:管件

        IRLR024NTRL詳細規格

        類別:FET - 單
        描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
        系列:HEXFET®
        制造商:International Rectifier
        FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        FET特點:邏輯電平門
        漏極至源極電壓333Vdss444:55V
        電流_連續漏極333Id4440a025000C:17A
        開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 10A,10V
        Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
        閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
        輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 25V
        功率_最大:45W
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
        供應商設備封裝:D-Pak
        包裝:帶卷 (TR)

        IRLR024NTRLPBF詳細規格

        類別:FET - 單
        描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
        系列:HEXFET®
        制造商:International Rectifier
        FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        FET特點:邏輯電平門
        漏極至源極電壓333Vdss444:55V
        電流_連續漏極333Id4440a025000C:17A
        開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 10A,10V
        Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
        閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
        輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 25V
        功率_最大:45W
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
        供應商設備封裝:D-Pak
        包裝:帶卷 (TR)

        IRLR024NTRPBF詳細規格

        類別:FET - 單
        描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
        系列:HEXFET®
        制造商:International Rectifier
        FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        FET特點:邏輯電平門
        漏極至源極電壓333Vdss444:55V
        電流_連續漏極333Id4440a025000C:17A
        開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 10A,10V
        Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
        閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
        輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 25V
        功率_最大:45W
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
        供應商設備封裝:D-Pak
        包裝:剪切帶 (CT)

        IRLR024NTRPBF詳細規格

        類別:FET - 單
        描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
        系列:HEXFET®
        制造商:International Rectifier
        FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        FET特點:邏輯電平門
        漏極至源極電壓333Vdss444:55V
        電流_連續漏極333Id4440a025000C:17A
        開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 10A,10V
        Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
        閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
        輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 25V
        功率_最大:45W
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
        供應商設備封裝:D-Pak
        包裝:Digi-Reel®

        IRLR024NTRPBF詳細規格

        類別:FET - 單
        描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
        系列:HEXFET®
        制造商:International Rectifier
        FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
        FET特點:邏輯電平門
        漏極至源極電壓333Vdss444:55V
        電流_連續漏極333Id4440a025000C:17A
        開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 10A,10V
        Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
        閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
        輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 25V
        功率_最大:45W
        安裝類型:表面貼裝
        封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
        供應商設備封裝:D-Pak
        包裝:帶卷 (TR)

        IRLR024N供應商

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