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IRLML6401GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML6401GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

IRLML6401GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

IRLML6401TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML6401TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML6401TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 10V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

H3BBT-10106-R4-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015R/H1504TR 6"
G79-300C
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE RELAY BLOCK 3M
CTX10-7-52-R
固定式 Cooper Bussmann 徑向 INDUCTOR POWER 10UH 11.4A
GPFC110-48G
AC DC 轉換器 SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands PWR SPLY SWITCHER PFC 110W 48V
IRLML6401TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
H3BBT-10106-V4-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015V/H1504TR 6"
HCM24DRTN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD
IRFH7914TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 30V 15A PQFN
H3BBT-10108-B4-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015B/H1504TR 8"
CTX110602-R
專用 Cooper Bussmann 徑向 TRANSFORMER CCFL 6W 6V 11MA SMD
H3BBT-10108-G8-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048G/H1504TR 8"
GPFC110-48G
AC DC 轉換器 SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands PWR SPLY SWITCHER PFC 110W 48V
IRFH7921TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
HCM24DRUH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 DIP SLD
H3BBT-10108-L4-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015L/H1504TR 8"