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IRL640詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL640A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1705pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：管件

IRL640L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRL640PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL640S詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL640SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

ISL6539CAZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP
HCPL-7560-560E
專用型 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER MODULE IEC 8-SMD
IRL6342PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
ISD5102EYR
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-TSOP
E3F3-T81M 2M
近程 Omron Electronics Inc-IA Div - SENSOR PHOTO TB PNP 18M METAL
E39-F32A5
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TUBE FIBR PROTECTN ARMR FLEX .5M
IRFU120Z
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
HCPL-7611-300E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER 10MBD 8-SMD GW
ISL6539CAZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP
ISD5102SYIR
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-SOIC
E3FAU
連接器，互連器件 Switchcraft Inc. - CONN RCPT 3POS FEMALE GOLD SLD
IRFU220NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
E39-F32B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TUBE FIBR PROTECTN ARMOR FLEX 1M
HCPL-7710-500E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER 12MBD 8-SMD
ISL6540ACRZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 28-QFN

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IRFU120Z

HCPL-7611-300E

ISL6539CAZ-T

ISD5102SYIR

E3FAU

IRFU220NPBF

E39-F32B

HCPL-7710-500E

ISL6540ACRZ