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IRFZ10詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ10PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ14詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ14L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRFZ14PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ14S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

K334K20X7RF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 10% RADIAL
ECW-H12182JVB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1800PF 1.25KVDC RADIAL
K183M15X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 100V 20% RADIAL
K122K10X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1200PF 100V X7R RADIAL
IRFZ14L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
ISD5116EI
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PL 8-16MN IN 28TSOP
K330J10C0GH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 33PF 100V 5% RADIAL
ECW-H12183RJV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.018UF 1.25KVDC RADIAL
K334K20X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 10% RADIAL
K183M15X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 100V 20% RADIAL
ISD5116SIR
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC VOICE REC/PL 8-16MN IN 28SOIC
K330J15C0GF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 33PF 50V 5% RADIAL
LF7YX
套管 - 音頻 Switchcraft Inc. TO-220-3 PATCHCORD 1/4" YELLOW 7FT
K334M20X7RF53K5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
ECW-H12202JL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 2000PF 1.25KVDC RADIAL

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