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IRFR9N20DPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：86W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9N20DTR詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：86W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9N20DTRL詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：86W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9N20DTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：86W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9N20DTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：86W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR9N20DTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：86W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FCN1206A122J-H2
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
CSX532T16.800M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） OSC TCXO 16.800MHZ 3.0V SMD
IRFR9210TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IDT49FCT806SO
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘緩沖器，驅(qū)動(dòng)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
CSX532T19.200M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
F331K29Y5RP6XT7RX1
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤(pán) CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
GTC030-28-AYP
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 9POS PANEL MNT W/PINS
IRFR9310TRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
FCN1206A152J-H2
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1500PF 100VDC 1206
CSX532T19.200M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
GTC030-32-17P(025)
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS PANEL MNT W/PINS
F331K33Y5RR63K7R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤(pán) CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
IRFRC20TRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
CSX532T20.000M2-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） OSC TCXO 20.000MHZ 2.8V SMD
IDT5991A-7JGI
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引線） IC CLK DVR PLL FANOUT 32-PLCC

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IRFR9N20 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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IRFR9N20供應(yīng)商

FCN1206A122J-H2

CSX532T16.800M3-UT10

IRFR9210TRPBF

IDT49FCT806SO

CSX532T19.200M3-UT10

F331K29Y5RP6XT7RX1

GTC030-28-AYP

IRFR9310TRL

FCN1206A152J-H2

CSX532T19.200M3-UT10

GTC030-32-17P(025)

F331K33Y5RR63K7R

IRFRC20TRL

CSX532T20.000M2-UT10

IDT5991A-7JGI