IRFR9N20DPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR9N20DTR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9N20DTRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9N20DTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9N20DTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
IRFR9N20DTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.4A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：380 毫歐 @ 5.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V
- 功率_最大：86W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 16.800MHZ 3.0V SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 9POS PANEL MNT W/PINS
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1500PF 100VDC 1206
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- 連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS PANEL MNT W/PINS
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 20.000MHZ 2.8V SMD
- 時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引線） IC CLK DVR PLL FANOUT 32-PLCC
0755-88291559 
