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IRFR9110詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9110PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9110TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9110TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9110TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9110TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

HFBR-END035Z
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK STD DUPLEX 35M
IR2133JTRPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 44-PLCC（32 引線） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC
GRM1556T1H101JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 100PF 50V 5% T2H 0402
IRFR9110TRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
FXO-HC736R-5
振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 5 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRF6610TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
IR2133STR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC
HFBR-EUD500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK DUPLEX UNCONN 500M
CY7C1440AV33-167BZC
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165LFBGA
FXO-HC736R-57.272
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 57.272 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IR2135J
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 44-PLCC（32 引線） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC
HFBR-EUD500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK DUPLEX UNCONN 500M
CY7C1440AV33-167BZCT
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165LFBGA
IRFR9120NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
GRM1556T1H120JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 12PF 50V 5% T2H 0402

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HFBR-END035Z

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GRM1556T1H101JD01D

IRFR9110TRL

FXO-HC736R-5

IRF6610TR1PBF

IR2133STR

HFBR-EUD500

CY7C1440AV33-167BZC

FXO-HC736R-57.272

IR2135J

HFBR-EUD500

CY7C1440AV33-167BZCT

IRFR9120NPBF

GRM1556T1H120JD01D