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IRFR9024詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 5.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：570pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR9024NPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 6.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：38W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR9024NTRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 6.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：38W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9024NTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 6.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：38W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9024NTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 6.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：38W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRFR9024NTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 6.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V
- 功率_最大：38W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
- 嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 132-LFBGA，CSPBGA IC PLD 2562LUTS 132-CSBGA
- 連接器，互連器件 JAE Electronics 1812（4532 公制） CONN RCPT WATERPRF 10POS T/H PIN
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 200V X7R RADIAL
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
- PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Fairchild Semiconductor TO-3P-5 IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV TO3P
- 配件 B&K Precision 1007（2518 公制） CARRY CASE FOR BENCH DMM/CTR/GEN
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8SOIC
- 固定式 AVX Corporation 0603（1608 公制） INDUCTOR THIN FILM 4.7NH 0603
- 連接器，互連器件 JAE Electronics 1812（4532 公制） CONN PLUG 10PS CRIMP SOCKET
- PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Fairchild Semiconductor TO-220-5 整包 IC FPS SWITCH CTV TO-220F-5
- 配件 B&K Precision 1007（2518 公制） CARRY CASE FOR BENCH DMM/CTR/GEN
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP
- 連接器，互連器件 JAE Electronics 1812（4532 公制） CONN RECPT 4 POS SOLDER CUP
- 固定式 AVX Corporation 0603（1608 公制） INDUCTOR THIN FILM 5.6NH 0603
- 嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 100-LQFP IC PLD 256LUTS 100-TQFP
021-62153656青 
