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IRFR9014詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9014NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9014NTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9014NTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9014PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9014TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRG4P254SPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT STD 250V 98A TO247AC
E39-L117
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET VERTICAL FOR E3T-S
IRFR6215TR
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
ISL5929INZ
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 Intersil 48-LQFP IC DAC 14BIT CMOS DUAL 48LQFP
HCZ221KBCDF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 220PF 3KV 10% RADIAL
ISL12022IBZ
時鐘/計(jì)時 - 實(shí)時時鐘 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC RTC/CALENDAR TEMP SNSR 8-SOIC
ISL6612BIR-T
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
E3S-2E4-40
其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FUJI FILM BUILT-IN AMP
E39-L118
配件 Omron Electronics Inc-IA Div S-BRACKET VERTICAL FOR E3T-S
ISL59440IA-T13
線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 Intersil 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC AMP MULTIPLEX 400MHZ 16-QSOP
ISL12022IBZ-T7A
時鐘/計(jì)時 - 實(shí)時時鐘 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC RTC/CALENDAR TEMP SNSR 8SOIC
HCZ222MBCDJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 2200PF 3KV 20% RADIAL
ISL6612BIRZ
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
E3S-2E4-40
其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FUJI FILM BUILT-IN AMP
E39-L119
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET VERTICAL FOR E3T-F

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