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IRFR3709ZTRPBF 全國供應商、價格、PDF資料

IRFR3709ZTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 86A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：86A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2330pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR3709ZTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 86A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：86A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2330pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3709ZTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 86A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：86A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2330pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

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P4SMA9.1CA-E3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 400W 9.1V 5% BIDIR SMA
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接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 8CIRC 9.50MM
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晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 12V 5.8A SOT-223
PCA2125TS/1,118
時鐘/計時 - 實時時鐘 NXP Semiconductors 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CMOS RTC/CALENDAR 14-TSSOP

復制成功！

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