IRFR3704Z詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V
- 功率_最大：48W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR3704ZCPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V
- 功率_最大：48W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR3704ZPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V
- 功率_最大：48W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR3704ZTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V
- 功率_最大：48W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR3704ZTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V
- 功率_最大：48W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
IRFR3704ZTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V
- 功率_最大：48W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 模塊 CONN PLUG .100" 30POS DL PCB SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 50V X7R RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 32KB 64LQFP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盤 IC MUX/DEMUX 8X1 16TQFN
- 按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
- 矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 模塊 CONN SHROUDED PWR SOCKET 36POS
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 32KB 64LQFP
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盤 IC MUX/DEMUX 8X1 16TQFN
- 按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
0755-83200050 
