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IRFR3303TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 33A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3303TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 33A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3303TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 33A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3303TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 33A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3303TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 33A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR3303TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 33A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

K471K10X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
IRFR3303CPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
K822K15X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 8200PF 100V 10% RADIAL
JMK107BJ106MA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 10UF 6.3V 20% X5R 0603
K391K10X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 390PF 50V 10% RADIAL
K331K10X7RF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
LBC3225T4R7MR
固定式 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） INDUCTOR WOUND 4.7UH 680MA 1210
K471K10X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
LCMXO2-1200ZE-1MG132C
嵌入式 - CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 132-LFBGA，CSPBGA IC PLD 1280LUTS 105I/O 132CSBGA
JMK107BJ225KA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 2.2UF 6.3V 10% X5R 0603
K391K10X7RH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 390PF 100V X7R RADIAL
LBF6222-20DLRA-A
LED- 高亮度電源模塊 Rohm Semiconductor LED MOD 118.5LM/101.4LM 16.5X128
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
嵌入式 - CPLD（復(fù)雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 100-LQFP IC PLD 1280LUTS 80I/O 100TQFP
K471K10X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL
K331K10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL