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IRFP440詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應商設備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP440PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應商設備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP4410ZPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：97A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 58A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4820pF @ 50V; 功率_最大：230W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應商設備封裝：TO-247AC; 包裝：散裝

IRFP4468PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：195A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 180A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：540nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：19860pF @ 50V; 功率_最大：520W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應商設備封裝：TO-247AC; 包裝：管件

IRFP448詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應商設備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP448PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應商設備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

ISL3179EFUZ
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） TXRX ESD 3.3V RS-485/422 8-MSOP
IRFP354PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
IRFZ24NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
E3Z-R81-G0SRW-M1
光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，導線引線，帶連接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M M12 CONN
IRF1404ZSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
E39-L42
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
IRL640STRR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
HM17-664471LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
ISL3179EIBZ-T7A
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 ESD 8SOIC
E3Z-R81-G2SRW-M1
光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，導線引線，帶連接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M M12 CONN
IRF1404ZSTRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
E39-L42
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
HM17-664560LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRL7833S
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
ISL3179EIRZ-T
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 TXRX ESD 3.3V RS-485/422 10-DFN