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IRFD120 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRFD120詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 780mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
功率_最大：1.3W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝：管件

IRFD120PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 780mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
功率_最大：1.3W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝：管件

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