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IRF9910詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF9910PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF9910TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9910TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：HEX/MOS N-CH DUAL 20V 10A 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF9910TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：HEX/MOS N-CH DUAL 20V 10A 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF9910TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A，12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

L412F
橋式整流器 Crydom Co. - MODULE BRIDGE RECT SLG PHASE 12A
IRF9910TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS N-CH DUAL 20V 10A 8SOIC
K331M15X7RF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 20% RADIAL
ECS-35-S-1
晶體 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 3.579545 MHZ SER 49UA
LMC8101TP/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-UFBGA IC OPAMP R-R I/O 2.7V 8-MICROSMD
KT11S2SA2M34LFS
觸摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
K271K15X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 100V X7R RADIAL
L484D1013TR
PMIC - 電源管理 - 專用 STMicroelectronics 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC CTRLR MAGN IGNITION 16-SOIC
ECW-F6364JL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.36UF 630VDC RADIAL
LMD300-CA00-0000-0000001
配件 Cree Inc 20-DIP（0.300"，7.62mm） ADAPTER PLATE LMD300 PLASTIC
ECS-35-S-4X
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ SER 49US
K271K15X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 100V X7R RADIAL
KT11S2SA2M34LFS
觸摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
L4931ABDT33-TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V .25A DPAK
ECW-F6364RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.36UF 630VDC RADIAL