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IRF9620詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9620L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF9620PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9620S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9620SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9620STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262
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ISC1210SYR47K
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配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT .5MM INSERT TYPE FOR E3Z-T
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光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPTOCOUPLER 1CH VDE GAASP 8-SOIC
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048G/X 8"
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評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Intersil 28-WFQFN 裸露焊盤 EVALUATION BOARD FOR ISL62391HI

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