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IRF7832Z 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRF7832Z詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3860pF @ 15V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：管件

IRF7832ZTR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3860pF @ 15V
功率_最大：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)

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