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IRF7831PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7831TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7831TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7831TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7831TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

ECS-320-18-9X-F
晶體 ECS Inc 圓柱形罐，徑向 CRYSTAL 32.000 MHZ 18PF CYL
L30030G1PQ
保險絲座 Littelfuse Inc TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 FUSEBLOCK 30A 480V 1POLE
ECW-F4683HLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.068UF 400VDC RADIAL
L/C-603DS
其它 Johanson Technology Inc 0603 L-SER CAP & IND (CHIP) KIT
IRF7821TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
LBA126S
固態(tài) IXYS Integrated Circuits Division 8-SMD（0.300"，7.62mm） RELAY OPTOMOS 170MA DP 8-SMD
LP38501TJ-ADJ/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments TO-263-5 薄型 IC REG LDO ADJ 3A TO263T-5
K223Z15Y5VF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.022UF 50V Y5V RADIAL
ECS-320-20-30B-DU
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 32.000 MHZ 20PF SMD
L0103DEAP
三端雙向可控硅開關(guān) Littelfuse Inc TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRIAC SENS 1A 400V TO92 AMMO
LBA126STR
固態(tài) IXYS Integrated Circuits Division 8-SMD（0.300"，7.62mm） RELAY OPTOMOS 170MA DP 8-SMD
ECW-F4683JB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.068UF 400VDC RADIAL
K223Z15Y5VF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.022UF 50V RADIAL
LP38502ASD-EV
評估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO) Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 BOARD EVAL FOR LP38502ASD
LBA127S
固態(tài) IXYS Integrated Circuits Division 8-SMD（0.300"，7.62mm） RELAY OPTOMOS 200MA DP 8-SMD

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