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IRF7811WGTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7811WGTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7811WGTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7811WPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7811WTR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7811WTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2335pF @ 16V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

HCM49-6.500MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.500 MHZ 18PF SMD
HBX222MBBCF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 2200PF 2KV 20% RADIAL
IRF7309QTRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
IRF7811AVTR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
IMP4-2Q0-1E0-4EE-4LL-03-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F25-43HN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 43POS STRGHT W/PINS
HBC15DRAI-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS .100 R/A PCB
H3BBT-10103-G6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049G/H1504TR 3"
HBX222MBBSSQKR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 2200PF 2KV 20% RADIAL
HCM49-6.500MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.500 MHZ 18PF SMD
IMP4-2Q0-1E0-4GG0-4LG0-01-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F25-43JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 43POS STRGHT W/SKT
HBC15DREI-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS .100 EYELET
H3BBT-10103-N8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048N/H1504TR 3"
IRF7822TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC