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IRF7524D1GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-uSMD; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7524D1GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-uSMD; 包裝：Digi-Reel®

IRF7524D1GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-uSMD; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7524D1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO-8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：管件

IRF7524D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：Digi-Reel®

IRF7524D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：240pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：帶卷 (TR)

FK28C0G1H4R7C
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 4.7PF 50V RADIAL
H2C-AC240-B
延時型 Omron Electronics Inc-IA Div MOTOR TIMER 11PIN SOCKET 240V
H2BBT-10103-S4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015S/H1500TR 3"
IRF7521D1TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
IRF5803TR
FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
H2C-S AC24 B
延時型 Omron Electronics Inc-IA Div MOTOR TIMER 11PIN SOCKET 24V
IPI041N12N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
FGA15N120ANTDTU
IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT NPT 1200V 15A TO-3P
FK28C0G1H562J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 5600PF 50V 5% RADIAL
IRF5806
FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
H2F1.58BK
熱縮布 Techflex 2:1 FAB HEATSHRINK BLK 40MM 100’
H2BBT-10104-N6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049N/H1500TR 4"
IPI09N03LA
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
FGA180N30DTU
IGBT - 單路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT PDP 300V 10A TO-3P
FK28C0G1H682J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 6800PF 50V 5% RADIAL

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